Tsinghua大学已正式宣布！ EUV摄影材料的重要进展

根据Tsinghua大学的官方网站，Tsinghua大学的Xu Huaping化学团队最近在极端紫外线光刻材料（EUV）方面取得了重大进步，基于Politloxans开发了新的光子，为高级半音节制造的关键材料提供了新的设计策略。随着集成电路过程朝着7 nm以下的节点发展，光刻EUV的波长为13.5 nm，已成为一种中心技术。但是，EUV光源的反射率和低亮度损失很大，从而在吸收效率，反应机理和缺陷控制方面导致了更大的光子。现有的EUV光子主要取决于化学扩增或金属意识以提高灵敏度，但它们通常是结构性复杂的，不均匀的组件，容易扩散和引入缺陷。学术界认为理想的EUV光子抗性需要四个特性：高EUV的吸收能力，高能量使用效率，分子均匀性和敏感性尽可能小，减少了线边缘的缺陷和粗糙度。聚氧烷：理想的EUV光子通材料Xu Huaping Team基于先前发明的聚氧溶解剂开发了一个新的EUV Fotonsist，以满足上述条件。在研究期间，该团队通过在聚合物骨骼中的TE-O链路引入了EUV Alto，Terurium（TE）的吸收元件，使用了低E-E-E或TE-O键的极好的EUV吸收能力，以实现高吸收和阳性高敏感性的阳性发展。该光子电阻由单个成分的小分子组成，该分子在简单设计中聚合了理想特性并整合它们，为开发下一代EUV光子的开发提供了可行的途径。预计Tsinghua大学将促进下一代EUV版画的发展通过整合高吸收性元素，链中断的主要机制和材料均匀性，并支持半导体过程的先进技术的创新。 [本文的结尾]如果您需要重印，请确保提供一个来源：UAI Technology Keditor：Shiqi